-30V,-4A,P沟道MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.053Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--1.3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS (V) = -30V ID = -4.2 A (VGS = -10V) RDS(ON) <50mΩ (VGS = -10V) RDS(ON) <65mΩ (VGS = -4.5V) RDS(ON) <120mΩ (VGS = -2.5V) 描述与应用| VDS(V)=-30V ID=-4.2 A(VGS=-10V) RDS(ON)<50MΩ(VGS=-10V) RDS(ON) <65mΩ(VGS=-4.5V) RDS(ON) <120MΩ(VGS=-2.5V)
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