D45H11 与D45H11G 、D45H11 区别
更新时间：2023-12-14 21:39:59
D45H11
安森美
VS
D45H11G
安森美
VS
D45H11
意法半导体
USD-$ 美元
RMB-¥ 人民币
EUR-€ 欧元
GBP-£ 英镑
CAD-C$ 加币
CHF-₣ 法郎
HKD-$ 港币
INR-RS 卢比
JPY-¥ 日元
KRW-₩ 韩元
RUB-₽ 卢布
TWD-$ 新台币
型号
D45H11
D45H11G
D45H11
描述
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
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PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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STMICROELECTRONICS D45H11 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -10 A, 120 hFE
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数据手册
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制造商
ON Semiconductor (安森美)
ON Semiconductor (安森美)
ST Microelectronics (意法半导体)
分类
双极性晶体管
双极性晶体管
双极性晶体管
封装参数
安装方式
Through Hole
Through Hole
Through Hole
引脚数
3
3
3
封装
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
技术参数
额定电压(DC)
-80.0 V
-80.0 V
-80.0 V
额定电流
-10.0 A
-10.0 A
-10.0 A
针脚数
3
-
3
极性
PNP
PNP, P-Channel
PNP, P-Channel
耗散功率
60 W
2000 mW
50 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
-80.0 V
80 V
最小电流放大倍数(hFE)
40 @4A, 1V
-
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
2 W
-
50 W
直流电流增益(hFE)
60
-
120
工作温度(Max)
150 ℃
-
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
-
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW
-
50000 mW
集电极最大允许电流
10A
10A
-
外形尺寸
长度
-
-
10.4 mm
宽度
-
-
4.6 mm
高度
9.28 mm
-
9.15 mm
封装
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
物理参数
材质
Silicon
-
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
-
150℃ (TJ)
其他
产品生命周期
Unknown
Active
Active
包装方式
Tube
Tube
Tube
最小包装
50
-
-
符合标准
RoHS标准
含铅标准
REACH SVHC标准
-
No SVHC
No SVHC
REACH SVHC版本
-
-
2015/12/17
海关信息
ECCN代码
EAR99
EAR99
EAR99
香港进出口证
-
-
NLR
参考价格（
$
0.470
全部价格
(6家)
$
0.664
全部价格
(16家)
$
0.465
全部价格
(14家)
总库存量（pcs）
0
500
1.4k
概述
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Complementary SiliconPower Transistors These series of plastic, silicon NPN and PNP power transistors can be used as general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 1.0 V (Max) @ 8.0 A • Fast Switching Speeds • Complementary Pairs Simplifies Designs • Pb−Free Packages are Available*
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PNP 功率晶体管 ，ON Semiconductor
### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
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PNP 功率晶体管 ，STMicroelectronics
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D45H11 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
D45H11G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
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D45H11和D45H11G，D45H11的区别：D45H11 TO-220-3 PNP -80V -10A；D45H11G TO-220-3 PNP -80V -10A 2000mW，D45H11 TO-220 PNP -80V -10A 50000mW。D45H11和D45H11G；D45H11哪个好：D45H11 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors；D45H11G PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管；D45H11 STMICROELECTRONICS D45H11 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -10 A, 120 hFE。D45H11和D45H11G，D45H11对比：D45H11 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:60 W,针脚数:3,额定电压:-80.0 V,极性:PNP,击穿电压:80 V,集电极最大允许电流:10A,最小包装:50,最小电流放大倍数:40 @4A, 1V,eccn代码:EAR99,额定电流:-10.0 A,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),材质:Silicon,高度:9.28 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准:Contains Lead,rohs:Compliant with Exemption,产品生命周期:Unknown,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:2000 mW,晶体管极性:PNP,工业级:Yes,额定功率:2 W,直流电流增益:60；D45H11G 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:2000 mW,额定电压:-80.0 V,极性:PNP, P-Channel,集电极最大允许电流:10A,eccn代码:EAR99,击穿电压:-80.0 V,额定电流:-10.0 A,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:Compliant,产品生命周期:Active,汽车级:Yes,工业级:Yes；D45H11 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:50 W,针脚数:3,额定电压:-80.0 V,极性:PNP, P-Channel,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,击穿电压:80 V,最小电流放大倍数:40 @4A, 1V,额定电流:-10.0 A,材质:Silicon,工作温度:150℃ (TJ),长度:10.4 mm,宽度:4.6 mm,高度:9.15 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,晶体管极性:PNP,工业级:Yes,额定功率:50 W,直流电流增益:120,工作温度:150 ℃,工作温度:-65 ℃,耗散功率:50000 mW,reach svhc版本:2015/12/17。
