MBT3904DW1T1G与MMDT2222A-7-F、MBT3904DW1T3G区别
更新时间:2023-12-15 00:54:47
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MBT3904DW1T1G
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安森美
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VS
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MMDT2222A-7-F
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美台
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VS
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MBT3904DW1T3G
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安森美
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- 型号
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MBT3904DW1T1G
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MMDT2222A-7-F
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MBT3904DW1T3G
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- 描述
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ON SEMICONDUCTOR MBT3904DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363
MBT3904DW1T1G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
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MMDT2222A-7-F 编带
MMDT2222A-7-F 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
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NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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- 数据手册
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- 制造商
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ON Semiconductor (安森美)
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Diodes (美台)
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ON Semiconductor (安森美)
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- 分类
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双极性晶体管
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双极性晶体管
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双极性晶体管
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封装参数
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- 安装方式
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Surface Mount
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Surface Mount
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Surface Mount
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- 引脚数
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6
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6
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6
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- 封装
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SC-70-6
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SOT-363
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SOT-363
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技术参数
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- 频率
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300 MHz
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300 MHz
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300 MHz
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- 额定电压(DC)
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40.0 V
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40.0 V
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40.0 V
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- 额定电流
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200 mA
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600 mA
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200 mA
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- 额定功率
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150 mW
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0.2 W
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- 极性
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NPN
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NPN
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NPN
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- 耗散功率
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150 mW
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200 mW
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150 mW
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- 增益频宽积
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300 MHz
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- 击穿电压(集电极-发射极)
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40 V
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40 V
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40 V
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- 集电极最大允许电流
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0.2A
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0.6A
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0.2A
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- 最小电流放大倍数(hFE)
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100 @10mA, 1V
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100 @150mA, 10V
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100 @10mA, 1V
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- 最大电流放大倍数(hFE)
- -
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300
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- 额定功率(Max)
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150 mW
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200 mW
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150 mW
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- 直流电流增益(hFE)
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300
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100
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100
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- 工作温度(Max)
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150 ℃
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150 ℃
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150 ℃
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- 工作温度(Min)
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-55 ℃
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-55 ℃
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-55 ℃
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- 耗散功率(Max)
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150 mW
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200 mW
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150 mW
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- 针脚数
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6
- -
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6
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外形尺寸
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- 长度
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2.2 mm
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2.2 mm
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2.2 mm
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- 宽度
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1.35 mm
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1.35 mm
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1.35 mm
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- 高度
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1 mm
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1 mm
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1 mm
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- 封装
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SC-70-6
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SOT-363
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SOT-363
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物理参数
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- 工作温度
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-55℃ ~ 150℃
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-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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- 材质
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Silicon
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其他
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- 产品生命周期
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Active
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Active
-
Active
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- 包装方式
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Tape & Reel (TR)
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Tape & Reel (TR)
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Tape & Reel (TR)
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符合标准
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- RoHS标准
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RoHS Compliant
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RoHS Compliant
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RoHS Compliant
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- 含铅标准
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Lead Free
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Lead Free
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Lead Free
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- REACH SVHC标准
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No SVHC
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No SVHC
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- REACH SVHC版本
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2015/12/17
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2015/12/17
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海关信息
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- ECCN代码
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EAR99
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EAR99
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EAR99
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- 香港进出口证
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NLR
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- -
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- 参考价格()
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$
0.026
全部价格
(18家)
-
$
0.047
全部价格
(15家)
-
$
0.025
全部价格
(14家)
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- 总库存量(pcs)
- 427.3k
- 3k
- 223.2k
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- 概述
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小信号 NPN
晶体管,ON Semiconductor
### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
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晶体管
- 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN(双) 40V 600mA 300MHz 200mW 表面贴装型 SOT-363
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小信号 NPN
晶体管,
ON Semiconductor
### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
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MBT3904DW1T1G和MMDT2222A-7-F,MBT3904DW1T3G的区别:MBT3904DW1T1G SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW;MMDT2222A-7-F SOT-363 NPN 40V 600mA 200mW,MBT3904DW1T3G SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW。MBT3904DW1T1G和MMDT2222A-7-F;MBT3904DW1T3G哪个好:MBT3904DW1T1G ON SEMICONDUCTOR MBT3904DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363;MMDT2222A-7-F MMDT2222A-7-F 编带;MBT3904DW1T3G NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管。MBT3904DW1T1G和MMDT2222A-7-F,MBT3904DW1T3G对比:MBT3904DW1T1G 封装:SC-70-6,引脚:6,频率:300 MHz,额定功率:150 mW,功耗:150 mW,针脚数:6,额定电压:40.0 V,极性:NPN,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,额定电流:200 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃,材质:Silicon,长度:2.2 mm,宽度:1.35 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,晶体管极性:NPN,汽车级:Yes,额定功率:150 mW,工业级:Yes,直流电流增益:300,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:150 mW,reach svhc版本:2015/12/17;MMDT2222A-7-F 封装:SOT-363,引脚:6,频率:300 MHz,额定功率:0.2 W,功耗:200 mW,额定电压:40.0 V,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.6A,最小电流放大倍数:100 @150mA, 10V,最大电流放大倍数:300,eccn代码:EAR99,额定电流:600 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),增益频宽积:300 MHz,长度:2.2 mm,宽度:1.35 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,额定功率:200 mW,直流电流增益:100,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:200 mW,晶体管极性:NPN;MBT3904DW1T3G 封装:SOT-363,引脚:6,频率:300 MHz,功耗:150 mW,针脚数:6,额定电压:40.0 V,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,eccn代码:EAR99,额定电流:200 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.2 mm,宽度:1.35 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,额定功率:150 mW,直流电流增益:100,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:150 mW,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:NPN,汽车级:Yes。