MC1413PG与ULN2003AN、ULN2001A区别
更新时间:2023-12-15 01:10:08
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MC1413PG
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安森美
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VS
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ULN2003AN
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德州仪器
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VS
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ULN2001A
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意法半导体
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- 型号
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MC1413PG
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ULN2003AN
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ULN2001A
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- 描述
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ON SEMICONDUCTOR MC1413PG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
MC1413PG 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
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TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
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STMICROELECTRONICS ULN2001A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
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- 数据手册
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查看PDF文件
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TI 官方数据手册
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查看PDF文件
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- 制造商
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ON Semiconductor (安森美)
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TI (德州仪器)
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ST Microelectronics (意法半导体)
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- 分类
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双极性晶体管
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双极性晶体管
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双极性晶体管
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封装参数
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- 安装方式
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Through Hole
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Through Hole
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Through Hole
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- 引脚数
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16
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16
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16
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- 封装
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PDIP-16
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PDIP-16
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DIP-16
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技术参数
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- 额定电压(DC)
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50.0 V
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50.0 V
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- 额定电流
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500 mA
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500 mA
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500 mA
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- 输出接口数
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7
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- 输出电压
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50 V
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50 V
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50 V
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- 输出电流
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500 mA
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0.6 A
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500 mA
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- 通道数
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7
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7
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- 针脚数
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16
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16
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16
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- 正向电压
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1.70 V
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- 输入电流
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930 µA
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- 极性
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NPN
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NPN
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NPN
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- 耗散功率
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25 W
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- 输入电容
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15.0 pF
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- 击穿电压(集电极-发射极)
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50 V
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50 V
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50 V
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- 驱动器/包
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-
7
- -
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- 集电极最大允许电流
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0.5A
-
0.5A
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0.5A
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- 输入电压(Max)
- -
-
5 V
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- 输出电压(Max)
- -
-
50 V
- -
-
- 输出电流(Max)
- -
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500 mA
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- 直流电流增益(hFE)
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1000
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600
-
1000
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- 工作温度(Max)
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85 ℃
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70 ℃
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85 ℃
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- 工作温度(Min)
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-20 ℃
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-20 ℃
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-40 ℃
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- 输入电压
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30 V
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30 V
-
30 V
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- 最小电流放大倍数(hFE)
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1000 @350mA, 2V
- -
-
1000 @350mA, 2V
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- 电源电压(DC)
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30.0 V
- -
- -
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- 无卤素状态
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Halogen Free
- -
- -
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外形尺寸
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- 长度
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19.55 mm
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19.3 mm
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19.69 mm
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- 宽度
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6.85 mm
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6.35 mm
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7.11 mm
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- 高度
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3.43 mm
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4.57 mm
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4.95 mm
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- 封装
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PDIP-16
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PDIP-16
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DIP-16
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物理参数
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- 工作温度
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150℃ (TJ)
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-20℃ ~ 70℃
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-40℃ ~ 85℃ (TA)
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其他
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- 产品生命周期
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Active
-
Active
-
Active
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- 包装方式
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Tube
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Tube
-
Tube
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符合标准
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- RoHS标准
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RoHS Compliant
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RoHS Compliant
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RoHS Compliant
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- 含铅标准
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Lead Free
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Lead Free
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Lead Free
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- REACH SVHC标准
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No SVHC
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No SVHC
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No SVHC
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- REACH SVHC版本
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2015/06/15
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海关信息
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- ECCN代码
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EAR99
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EAR99
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EAR99
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- 香港进出口证
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NLR
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- 参考价格()
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$
0.222
全部价格
(18家)
-
$
0.169
全部价格
(18家)
-
$
0.243
全部价格
(16家)
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- 总库存量(pcs)
- 278.3k
- 8.8k
- 137
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- 概述
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NPN 复合
晶体管,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
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德州仪器的ULN2003AN系列为通孔安装高电压高电流的达林顿晶体管阵列, PDIP封装. 每个包含七个NPN达林顿对, 具有高电压共射和集电极开路输出, 带有普通阴极钳位二极管用于转换电感性负载. 此单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA, 同时达林顿对可并行用于更高电流性能. ULN2003A设备包含一个2.7Kohm 系列基极电阻用于每一个达林顿对, 以直接运行TTL或5V CMOS设备. 典型应用包括继电器驱动器, 锤驱动器, 灯驱动器, 显示器驱动器 (LED和气体放电), 线路驱动器和逻辑缓冲器.
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- 高电压输出: 50V
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- 兼容多种类型逻辑输入
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- 350mA集电极电流时, 通导输入电压: 3V
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- 350mA集电极电流时, 集电极到发射极饱和电压:1.2V
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- 工作温度范围: -20°C至70°C
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- 集电极电流(Ic): 500mA (单路输出)
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复合晶体管阵列,STMicroelectronics 达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列,包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管,用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚,采用 IC 封装,用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平,用于 TTL 或 CMOS。
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MC1413PG和ULN2003AN,ULN2001A的区别:MC1413PG DIP NPN 500mA;ULN2003AN SOIC NPN 50V 500mA,ULN2001A DIP NPN 50V 500mA。MC1413PG和ULN2003AN;ULN2001A哪个好:MC1413PG ON SEMICONDUCTOR MC1413PG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP;ULN2003AN TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP;ULN2001A STMICROELECTRONICS ULN2001A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP。MC1413PG和ULN2003AN,ULN2001A对比:MC1413PG 封装:PDIP-16,引脚:16,针脚数:16,输出电压:50 V,极性:NPN,最小电流放大倍数:1000 @350mA, 2V,eccn代码:EAR99,电源电压:30.0 V,击穿电压:50 V,集电极最大允许电流:0.5A,额定电流:500 mA,输出电流:500 mA,工作温度:150℃ (TJ),卤素:Halogen Free,长度:19.55 mm,宽度:6.85 mm,高度:3.43 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工业级:Yes,直流电流增益:1000,工作温度:85 ℃,工作温度:-20 ℃,输入电压:30 V,晶体管极性:NPN,汽车级:Yes;ULN2003AN 封装:PDIP-16,引脚:16,通道数:7,功耗:25 W,针脚数:16,输入电容:15.0 pF,额定电压:50.0 V,输出电压:50 V,极性:NPN,集电极最大允许电流:0.5A,正向电压:1.70 V,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,击穿电压:50 V,额定电流:500 mA,输入电流:930 µA,输出电流:0.6 A,驱动器:7,输出接口数:7,工作温度:-20℃ ~ 70℃,长度:19.3 mm,宽度:6.35 mm,高度:4.57 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:-20 ℃,reach svhc版本:2015/06/15,输入电压:30 V,输入电压:5 V,晶体管极性:NPN,输出电压:50 V,输出电流:500 mA,直流电流增益:600,工作温度:70 ℃;ULN2001A 封装:DIP-16,引脚:16,通道数:7,针脚数:16,额定电压:50.0 V,输出电压:50 V,极性:NPN,击穿电压:50 V,集电极最大允许电流:0.5A,最小电流放大倍数:1000 @350mA, 2V,eccn代码:EAR99,额定电流:500 mA,输出电流:500 mA,工作温度:-40℃ ~ 85℃ (TA),长度:19.69 mm,宽度:7.11 mm,高度:4.95 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,直流电流增益:1000,工作温度:85 ℃,工作温度:-40 ℃,输入电压:30 V,晶体管极性:NPN,工业级:Yes。