NE5534P与NE5534PE4、NE5534AP区别

NE5534P和NE5534PE4，NE5534AP的区别：NE5534P SOIC 10MHz 1Channel 8Pin；NE5534PE4 SOIC 10MHz 1Channel 8Pin，NE5534AP SOIC 10MHz 1Channel 8Pin。NE5534P和NE5534PE4；NE5534AP哪个好：NE5534P Texas Instruments；NE5534PE4 低噪声运算放大器 LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS；NE5534AP TEXAS INSTRUMENTS  NE5534AP  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 9 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, DIP, 8 引脚。NE5534P和NE5534PE4，NE5534AP对比：NE5534P 封装:PDIP-8,引脚:8,通道数:1,带宽:10 MHz,转换速率:13.0 V/μs,针脚数:8,电路数:1,工作电压:5V ~ 15V,输入补偿电压:500 µV,电源电压:15.0 V,供电电流:4 mA,输入偏置电流:500 nA,工作温度:0℃ ~ 70℃,输入补偿漂移:0.00 V/K,共模抑制比:70 dB,增益频宽积:10 MHz,长度:9.81 mm,宽度:6.35 mm,高度:4.57 mm,安装方式:Through Hole,包装:Each,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,医用级:Yes,工作温度:70 ℃,工作温度:0 ℃,增益带宽:10 MHz,共模抑制比:70 dB,reach svhc版本:2014/12/17,电源电压:15 V；NE5534PE4 封装:PDIP-8,引脚:8,通道数:1,带宽:10 MHz,转换速率:13.0 V/μs,电路数:1,输入补偿电压:500 µV,电源电压:30.0 V,供电电流:4 mA,输入偏置电流:500 nA,输入补偿漂移:0.00 V/K,工作温度:0℃ ~ 70℃,共模抑制比:70dB ~ 100dB,增益频宽积:10 MHz,长度:9.81 mm,宽度:6.35 mm,高度:4.57 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:0 ℃,共模抑制比:70 dB,reach svhc版本:2015/06/15,电源电压:30 V,电源电压:10 V,工作温度:70 ℃；NE5534AP 封装:DIP-8,引脚:8,通道数:1,带宽:10 MHz,转换速率:13.0 V/μs,针脚数:8,电路数:1,工作电压:5V ~ 15V,输入补偿电压:500 µV,电源电压:15.0 V,供电电流:4 mA,输入偏置电流:500 nA,工作温度:0℃ ~ 70℃,输入补偿漂移:0.00 V/K,共模抑制比:70 dB,增益频宽积:10 MHz,长度:9.81 mm,宽度:6.35 mm,高度:4.57 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,医用级:Yes,工作温度:70 ℃,工作温度:0 ℃,增益带宽:10 MHz,共模抑制比:70 dB,reach svhc版本:2015/06/15,电源电压:15 V。